一、液晶显示器的替代ODS清洗技术研究（论文文献综述）
曹华东,蒋刘杰,田谧哲,夏大权,甘贵生[1]（2021）在《电子封装用清洗剂的研究进展》文中提出随着电子信息产业的蓬勃发展,三维封装技术和超摩尔定律随即诞生,极小的封装间距对电子产品的清洗提出了崭新要求。综述了电子封装用水基清洗剂的组成和作用机理,结合国内外电子封装用水基清洗剂的研究现状,着重介绍了水基清洗剂研制过程中成分、配比和浓度三者的关系,阐述了目前电子封装用水基清洗剂依旧存在适用范围小、兼容性差、难降解等问题,并探讨了未来电子封装用水基清洗剂的发展趋势。开发并推广一种绿色、高效和低成本电子封装用水基清洗剂尤为重要。
崔佳莹[2]（2020）在《废液晶显示器中铟的浸出与资源化理论技术及有价值材料回收工艺研究》文中研究说明铟是一种重要的稀散金属资源,主要用于液晶显示器（LCD）中电极的生产。随着LCD生产量和废弃量的同步攀升,根据可持续发展的要求从废LCD中回收铟是大势所趋。目前,从废LCD中回收铟的方法较多,但仍然无法摆脱以浓酸浸出为主的工业生产模式。进一步地粗铟向商品级纯铟金属转化存在提纯成本高的问题,生物合成纳米颗粒的技术因具有合成环境中金属离子复杂的固有属性为铟的资源化回收技术提供了新的思路。针对当前废LCD回收过程中可商业化的绿色浸出技术匮乏、粗铟产物难以高值利用等问题,本论文探索黑曲霉浸出铟的方法及机理,明晰发酵液中有效化学成分为草酸,阐明草酸浸出铟的机理,模拟硫化镉建立硫化铟纳米颗粒的生物回收方法,深度挖掘生物合成硫化铟量子点的能力及应用潜力,形成废LCD中有价值材料处理与资源化回收工艺。论文的主要工作及研究成果如下:（1）构建黑曲霉浸出废LCD中铟的方法并阐明浸出机理。研究发现黑曲霉在不同方式下对铟浸出率的大小顺序为:发酵液浸出>分步浸出>同步浸出。降低初始p H、振荡速度和蔗糖投加量对黑曲霉发酵的影响为:发酵液p H值降低,无氧呼吸过程产生的羧基量升高,营养成分的氧化度提高,相应地将这三者分别从7.0、200 rpm、100 g/L优化为4.0、125 rpm和50 g/L,第15 d的发酵液在70℃下处理粉末90 min的铟浸出率从12.3%提升至100%。经与葡萄糖酸、柠檬酸、苹果酸比较后,草酸是黑曲霉生物浸出铟的最有效成分。（2）依据黑曲霉生物浸出的现象,解析草酸浸出废LCD中铟的性能优于无机酸的复杂反应机理。研究发现控制草酸浓度为0.5 M、浸出温度为70℃、粉末投加量为50g/L,反应45 min后,铟的浸出率能达到100%。根据阿伦尼乌斯模型,草酸浸出铟的反应活化能为43.622 k J/mol,表明反应速率主要受化学反应步骤和离子扩散步骤控制。超声空化作用有助于提高粉末处理量。氧化铟的溶解依赖于所分配的H+浓度。金属水解是酸浸体系中普遍存在的离子损失的负面现象。草酸在浸出过程中的优越性体现在通过维持合适的H+浓度,从而降低非目标金属对H+的竞争消耗、抑制浸出In3+的水解,并利用C2O42-沉淀去除钙、锶等金属杂质。（3）为了探索粗铟高值利用的新途径,结合硫化镉纳米颗粒生物合成的方法,研究大肠杆菌沉淀回收硫化铟纳米颗粒的可行性。利用基因编辑大肠杆菌代谢半胱氨酸形成S2-与体系中稳定分散吸附于蛋白质表面的In3+结合沉淀形成硫化铟纳米颗粒。所回收的硫化铟纳米颗粒平均粒径约为8 nm,对光的吸收峰为303 nm,禁带宽度为3.444 e V,小尺寸引发的量子限制效应明显,可用于污染物的催化降解。（4）进一步地探索粪肠球菌合成硫化铟量子点的方法及潜在应用。基于细菌对培养基中重金属的代谢解毒作用,以硫酸铟为铟源,粪肠球菌内源性缓慢代谢产S2-使吸附分散于体系中的In3+原位沉淀形成量子点,通过表面丰富的有机物稳定存在于水相中。合成的硫化铟量子点为3～5 nm的球形多晶结构,样品存在393 nm和460 nm两个荧光峰,在细菌体内的荧光性较好。经透析提纯后,硫化铟量子点的外观与水样无明显差异,这为生物源硫化铟量子点用于生物标记与荧光检测奠定了理论基础。（5）结合上述研究,针对废LCD中有价值材料偏光片、液晶、铟和玻璃基板开发高值化绿色回收工艺。建立偏光片层层剥离方法,使丙酮浸泡时间缩短至30 min以内,可同步回收偏光片和液晶,并且避免了对二者再利用特性的明显破坏。探究发酵液浸出铟的限制性因素,以低浓度草酸模拟生物浸出技术,通过响应曲面优化参数显着提升批处理量和处理效率,明确浸出渣中玻璃的可再利用性。此外,适配利用粗铟合成硫化铟纳米颗粒的技术可行性。最终形成有价值材料的绿色回收工艺流程。论文研究成果为废LCD中铟的浸出与资源化奠定了理论与技术基础,并为废LCD中有价值材料的回收工艺提供了指导性方案。
吕强强[3]（2019）在《侧入式导光板微结构加工与光学性能研究》文中研究说明如今,随着智能手机、电脑的大量使用,人们对显示器的需求量越来越大,对显示器显示效果的要求也越来越高。液晶显示器因其体积小、重量轻、功耗低、显示图像清晰、色彩饱满的优点,逐步取代了阴极射线管显示器而成为平板显示的主流,广泛应用于电脑、手机、智能手表等产品中。液晶显示器中液晶分子不发光,其光源由背光模组提供,因而背光模组的的发光质量直接影响整个显示器的显示质量。导光板又是背光模组中的核心部件,作用是将侧光源转变成均匀出射的面光源。目前的导光板主要存在着光线利用率不高以及难以达到较好的均匀度的问题,限制了背光模组的发光质量。因此,要想提高显示器的显示效果,导光板的设计就变得十分重要。本文主要以提升导光板出光均匀度、提高光线利用率为目标,以激光刻蚀为加工手段,对导光板上的微结构进行研究。本论文的工作主要包括:第一章主要介绍液晶显示器的发展及现状,简述液晶显示器的种类及其组成部分,引出本文研究的重点导光板,并对导光板微结构的研究现状及导光板的光学原理、分类和散射网点分布规律进行了说明。第二章是对激光刻蚀导光板散射微结构的验证仿真,探究了激光在导光板上进行刻蚀加工后留下的环状熔融物（重铸层）对导光板的光学产生的影响。第三章提出了在相同网点密度下采用多个小网点代替单一大网点的方法,来提升光线利用率。建立了四种光学模型进行仿真,使用飞秒激光进行工艺参数验证,并且制作小型背光模组进行了该方法的实验验证。第四章对导光板入光侧的微结构进行研究,探究其对减弱导光板入光侧暗影问题的作用。分析了入光侧微结构的分布和顶角对暗影问题的影响,并建立单结构—单LED、多结构—单LED两种模型详细分析了微结构的光学性能,得到了光线在微结构中的传播规律。最后,总结了本论文的不足之处,并指出了新的研究方向。
吴云飞[4]（2019）在《液晶面板行业Cell膜下异物的控制及监控方法研究》文中研究说明薄膜液晶显示器TFT-LCD因体积小、耗电量低、重量轻、美观等诸多优点,是新兴的高新技术产业,已得到广泛关注和研究。由于便携式计算机、办公室应用程序和大屏幕显示器的普及使用,人们对于显示器的质量具有更高的要求。作为TFT-LCD行业的第一大不良:异物不良,对产品品质的影响约占95%,与企业效益直接相关。目前行业内的异物反馈机制是利用VT&ET检出情况,对异物进行分类,通过小比例异物样品拆片解析,从而得到异物分类,异物判责的效果,但是反馈周期较长,从而发现问题和改善问题的周期相应变长。新型TFT—LCD行业Cell膜下异物监控与反馈系统,是充分结合现有检测资源:各工艺段的AOI的异物形态及位置图片检测数据和后段VT/ET不良检测位置和异物形态数据,利用工厂MES自动化数据整合处理系统串接,实现后段不良信息快速反馈匹配至前段相应工艺段的功能,达到及时监控反馈,并传达到具体工程段精细化管控的良性异物监控处理模式。本文主要通过分析Cell膜下异物不良的分类和机理,对Cell异物进行控制。同时创建新型Cell膜下异物监控系统,对已改善后的Cell异物水平进行及时有效的监控,达到及时发现异物风险,及时改善的目的。它可以有效缓解繁琐的异物解析分析模式的压力,通过信息比对确认发生单位点,有效反馈工艺段,增加工程的改善积极性;同时可以匹配AOI与后段检出关系,及时调整AOI检测有效性,准确性。便于相关工艺段进行改善对策初步评估,减少资源浪费。通过对TFT—LCD制作流程中异物的影响及传统分析方法的不足进行分析,并结合实际生产经验,探索出一套以位置匹配为基础,充分的利用光学检查机检测数据的异物管控的新型异物监控反馈系统,反馈速度由原来的2周缩短至2小时,同时亦提高了工程改善的积极性及改善效率,最终实现异物管控,所有产品波动控制在1%内,为异物的分析与改善提供了新的思路。新系统已经在本厂通过自动信息化的方式建立相对完善的监控反馈机制,相信未来对于建立智能化工厂会发挥更大的作用。
刘志彪[5]（2020）在《磷酸系刻蚀液对Cu/Mo薄膜刻蚀性能的基础研究》文中研究表明面板制造的阵列工序（Array）在设计过程中,栅极（Gate）层电路和源漏（SD）极层电路根据产品使用要求进行电极材料的选择,这个过程不仅会对电极材料性能如电阻率、电子迁移率等因素进行考量,而且还需在原料成本及制造工艺技术难易程度上进行评价。随着平板显示大尺寸化、高解析度以及驱动频率高速化的趋势和要求,金属铜导线将逐渐取代铝导线成为薄膜晶体管制备过程中电极材料,由于金属铜与下层基板玻璃粘结性差,工艺上一般选择金属钼作为过渡膜层。当前,铜导线主要采用双氧水系刻蚀液进行处理,而双氧水的不稳定及易爆性使其在实际应用过程中存在诸多问题。本文研究了磷酸系刻蚀液对铜的刻蚀性能,磷酸系刻蚀液的主要组成为磷酸、硝酸及醋酸。工作中首先研究了金属铜在单酸、二元混合酸及三元混合酸刻蚀液中的溶出情况,解析了磷酸系刻蚀液不同组份对铜溶出的影响情况。结果发现,金属铜的腐蚀需氧化性及酸性共同作用下才能发生,其中硝酸起主导作用。XPS的分析结果表明,铜在磷酸系刻蚀液的溶出过程中,硝酸主要起氧化作用,将铜氧化为Cu2O直至CuO,CuO在氢离子的作用下发生溶解反应,而醋酸加入有利于硝酸对铜的氧化,同时促进CuO的溶解过程。对金属钼在磷酸三元混合酸刻蚀液的溶出行为进行了研究,分析了刻蚀液的各组份对钼溶出的影响情况。结果表明,金属钼的溶出亦需要磷酸和硝酸的共同作用才能发生,得出了硝酸是影响金属钼腐蚀的最大因素以及高浓度醋酸有利于钼的腐蚀溶出这一结论。在铜、钼单金属的研究基础上,研究了铜/钼薄膜在磷酸刻蚀液的溶出行为。金属铜/钼在刻蚀液中存在电化学电偶腐蚀,在该原电池体系中,钼为阴极,金属铜成为阳极而溶出速率变快。通过时间-电流（i-t）法探究了铜/钼在三元混合酸中各组份浓度的变化对金属间电偶电流的影响。通过SEM对不同浓度比例刻蚀液腐蚀Cu/Mo玻璃样片进行表征,最后经大量的优化实验,得到了较优的刻蚀液配方,优化后刻蚀液配方组份如下:磷酸3045%,硝酸1%3%,醋酸30%40%的范围值内,得到了锥度角满足生产工艺要求。
姚江波[6]（2019）在《薄膜晶体管液晶显示器3道光刻技术研究》文中认为薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）产业经过近30年的发展,其规模不断扩大,技术成熟度不断加深。特别是近10年来,国内液晶显示产业迅速发展。以北京京东方、上海天马、深圳华星光电等面板公司纷纷投产G4.5至G11代液晶面板生产线。随着液晶显示产业发展,薄膜晶体管的光刻制程次数也从最初的7道降低到5道,制造成本大幅降低。2010年,随着半透光罩与灰阶光罩技术的应用,光刻次数从5道光罩变成了4道光罩。当前4道光刻技术依旧是各面板厂的主流技术,同时3道光刻技术目前已成为各大面板厂的主要研发课题。但是3道光刻技术因技术难度大、良率低,目前还有很多问题需要解决。本论文通过对3道光刻技术的研究,分析了三种常见的3道光刻技术工艺方法,包括氧化铟锡剥离法、接触孔填充法及三段式光罩等方法。重点对氧化铟锡剥离技术的核心工艺方法进行研究,包含负性光阻下挖法、双层光阻下挖法及光阻与绝缘层下挖法。在此基础上,自主开发出一种全新的氧化铟锡剥离技术,即光阻制绒技术。光阻制绒技术的原理是使用等离子体对光阻表面进行处理,在光阻表面生长一层绒状物,这层绒状物具有很大的表面积,利于ITO沉积在其上。这种光阻绒状物和ITO的结合形式会在它们结合的界面形成大量的缝隙,降低后续制程ITO和光阻剥离的难度。这种方法克服了传统3道光刻技术中ITO及光阻剥离不干净的问题,解决3道光刻技术中剥离物颗粒过大导致的剥离设备管道堵塞问题,大幅度提升3道光刻技术量产可能性。通过对光阻制绒技术的3道光刻工艺技术的研究,开发出一种全新的3道光刻工艺技术工艺流程,包含干刻光阻制绒工艺、成膜工艺及黄光工艺流程。实验研究取得光阻蚀刻制绒工艺的最佳参数及工艺窗口、黄光Photo制程的关键参数及工艺窗口、Dry Etch制程光阻灰化工艺最佳参数及工艺窗口。最后搭配全新的3道光刻技术,制备出世界首片28寸薄膜晶体管基板及液晶模组,同时产出多篇3道光刻技术相关专利。制绒技术3道光刻工艺大幅度缩减了薄膜晶体管液晶显示器的制作成本,且解决其他3道光刻技术难以克服的光阻剥离问题,使3道光刻工艺薄膜晶体管技术量产可能性大幅度提升,为后续国内液晶显示器产业发展做出贡献。
杜植院,张文,谢明[7]（2017）在《液晶显示器用环保型水基清洗剂研究》文中认为在以阳离子表面活性剂X、异构脂肪醇聚氧乙烯醚Y、直链脂肪醇聚氧乙烯醚、渗透剂JFC、二乙二醇丁醚、异丙醇胺、ETDA为主要原料制备的水性清洗剂配方中,研究了以上成分的用量在对泄漏液晶清洗中所发挥的作用及性能,通过正交实验优化了实验参数,得到了最佳水平的配方组合,该配方对液晶的清洗去污率达98%以上,所含VOC含量低于参考国标检测限。
唐艳冬,李德福[8]（2007）在《ODS清洗替代技术为清洗行业带来的机遇和挑战》文中研究表明从ODS清洗剂概念、优缺点、对环境的危害以及清洗服务的对象入手,通过对主要清洗的污染物分析,系统阐述了ODS清洗剂的应用领域。论述了各类替代品和替代技术和关键技术、技术难点。从行业角度分析了ODS替代清洗给清洗行业带来的机遇和挑战。
李广福,刘玉岭,李薇薇[9]（2006）在《LCD残留液晶的清洗》文中提出指出了去除残留液晶在LCD制造过程中的重要性,并为了适应目前ODS的替代趋势介绍了LCD行业中目前广泛采用的替代ODS的清洗剂和清洗工艺。其中详细介绍了各种替代清洗剂的组成及其优缺点,并对清洗机理进行了一定的分析最终给出了一般的工艺流程。
李薇薇,刘玉岭,李广福[10]（2005）在《一种新型的LCD清洗剂》文中研究指明详细分析了目前液晶显示屏狭缝中的污染物来源,通过大量实验利用有机碱、活性剂和JFC找到的一种新型LCD清洗液,并且达到了较好的清洗效果,形成了一整套新型的清洗技术。
二、液晶显示器的替代ODS清洗技术研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、液晶显示器的替代ODS清洗技术研究（论文提纲范文）
（1）电子封装用清洗剂的研究进展（论文提纲范文）
| 1 水基清洗剂组成及作用机理 |
| 2 水基清洗剂的国内外研究现状 |
| 3 水基清洗剂的发展趋势 |
（2）废液晶显示器中铟的浸出与资源化理论技术及有价值材料回收工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 主要符号表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 废LCD处理与资源化的研究进展 |
| 1.2.1 液晶和偏光片的处理 |
| 1.2.2 铟的提取与资源化 |
| 1.2.3 玻璃基板的资源化处理 |
| 1.3 黑曲霉生物浸出铟的理论依据 |
| 1.3.1 技术背景 |
| 1.3.2 黑曲霉浸出技术的研究进展 |
| 1.3.3 黑曲霉处理废LCD的技术难点 |
| 1.4 生物回收硫化铟纳米颗粒的理论依据 |
| 1.4.1 技术背景 |
| 1.4.2 生物合成金属硫化物纳米颗粒的研究进展 |
| 1.4.3 生物回收硫化铟纳米颗粒的技术难点 |
| 1.5 研究目的及意义 |
| 1.6 研究内容和技术路线 |
| 1.6.1 研究内容 |
| 1.6.2 技术路线 |
| 第二章 黑曲霉生物浸出废LCD中铟的方法及机理 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 材料与方法 |
| 2.2.1 实验材料与试剂 |
| 2.2.2 实验仪器设备 |
| 2.2.3 黑曲霉生物浸出铟体系的构建及优化 |
| 2.2.4 有机酸用于浸出废LCD中铟的评测 |
| 2.2.5 样品制备及分析测试方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 黑曲霉对铟浸出能力的表观分析 |
| 2.3.2 发酵液浸出方式的生化反应分析 |
| 2.3.3 发酵方式对酸产量的影响 |
| 2.3.4 有机酸浸出铟的有效性比较 |
| 2.3.5 讨论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 草酸浸出废LCD中铟的反应机理 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 材料与方法 |
| 3.2.1 实验材料与试剂 |
| 3.2.2 实验仪器设备 |
| 3.2.3 不同因素对铟浸出率的影响实验 |
| 3.2.4 样品制备及分析测试方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 铟浸出率的动态变化 |
| 3.3.2 反应物质表征与分析 |
| 3.3.3 反应过程与机理 |
| 3.3.4 讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 大肠杆菌沉淀回收硫化铟纳米颗粒的方法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 材料与方法 |
| 4.2.1 实验材料与试剂 |
| 4.2.2 实验仪器设备 |
| 4.2.3 硫化铟的化学沉淀实验 |
| 4.2.4 模拟硫化镉体系回收硫化铟纳米颗粒 |
| 4.2.5 样品分析与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 In~(3+)和S~(2-)的结合沉淀分析 |
| 4.3.2 大肠杆菌供S~(2-)的表观证据 |
| 4.3.3 硫化铟纳米颗粒的表征 |
| 4.3.4 讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 粪肠球菌回收硫化铟量子点的原理及潜在应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 材料与方法 |
| 5.2.1 实验材料与试剂 |
| 5.2.2 实验仪器设备 |
| 5.2.3 回收体系的pH范围选取实验 |
| 5.2.4 硫化铟量子点回收体系构建 |
| 5.2.5 样品分析与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 量子点的荧光分析 |
| 5.3.2 量子点的形貌特征 |
| 5.3.3 硫化铟量子点的回收原理 |
| 5.3.4 量子点的应用潜力分析 |
| 5.3.5 讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 废LCD中有价值材料的绿色回收与资源化工艺 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 材料与方法 |
| 6.2.1 实验材料与试剂 |
| 6.2.2 实验仪器设备 |
| 6.2.3 偏光片与液晶的处理 |
| 6.2.4 铟的浸出与资源化回收 |
| 6.2.5 浸出玻璃残渣的形貌结构表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 废LCD中偏光片和液晶的快速回收机理 |
| 6.3.2 铟的浸出与资源化理论技术的实际应用分析 |
| 6.3.3 浸出残渣中玻璃的可再利用性分析 |
| 6.3.4 有价值材料的资源化回收工艺流程 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论、创新点与展望 |
| 一、结论 |
| 二、创新点 |
| 三、展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附表 |
（3）侧入式导光板微结构加工与光学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.1.1 液晶显示器发展 |
| 1.1.2 液晶显示器分类与组成 |
| 1.2 导光板光学原理 |
| 1.2.1 光度学知识简介 |
| 1.2.2 导光板工作原理 |
| 1.2.3 导光板散射网点设计与分布规律 |
| 1.3 导光板微结构的加工与研究现状 |
| 1.3.1 导光板下表面散射微结构的加工工艺现状 |
| 1.3.2 导光板下表面微结构的光学性能研究 |
| 1.3.3 导光板入光侧微结构的光学性能研究 |
| 1.4 研究内容及意义 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 研究意义 |
| 1.5 研究课题来源及工作基础 |
| 1.6 本章小结 |
| 第2章 下表面散射网点的重铸层对导光板光学性能的影响研究 |
| 2.1 不同激光能量参数下重铸层的形貌特征分析 |
| 2.1.1 实验设备与加工参数 |
| 2.1.2 实验结果与分析 |
| 2.2 仿真模型建立 |
| 2.2.1 光源模型建立 |
| 2.2.2 导光板模型建立 |
| 2.3 仿真结果分析 |
| 2.3.1 重铸层宽度变化对导光板光学的影响 |
| 2.3.2 重铸层高度变化对导光板光学的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 下表面微结构对提升导光板光线利用率的研究 |
| 3.1 导光板光学模型 |
| 3.1.1 光源模型建立 |
| 3.1.2 导光板模型建立 |
| 3.1.3 光线追迹 |
| 3.2 网点替代分析 |
| 3.2.1 半球形网点阵列替代仿真 |
| 3.2.2 同高度网点阵列替代光学仿真(保留下部) |
| 3.2.3 同高度网点阵列替代光学仿真(保留上部) |
| 3.2.4 固定分布网点阵列替代光学仿真 |
| 3.3 激光加工实验验证 |
| 3.3.1 实验设备介绍 |
| 3.3.2 激光加工参数对网点形貌的影响 |
| 3.3.3 激光加工导光板光学实验验证与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 入光侧微结构对消除暗影问题的研究 |
| 4.1 导光板暗影问题及入光侧微结构散光原理分析 |
| 4.2 三角形微结构对导光板光学的影响 |
| 4.2.1 微结构分布对导光板光学的影响 |
| 4.2.2 三角形微结构顶角对导光板的光学影响 |
| 4.3 三角形微结构光学影响分析 |
| 4.3.1 单结构—单LED光线传播分析 |
| 4.3.2 多结构—单LED光线传播分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 |
| 致谢 |
（4）液晶面板行业Cell膜下异物的控制及监控方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 显示技术发展及行业动态 |
| 1.2.2 TFT-LCD国内外研究现状 |
| 1.3 课题的来源及研究意义 |
| 1.4 本课题的研究内容 |
| 第二章 TFT-LCD制程工艺及生产要求及膜下异物控制 |
| 2.1 TFT-LCD主要制程 |
| 2.2 TFT-LCD Cell膜结构及生产要求 |
| 2.2.1 Cell膜组结构 |
| 2.2.2 Cell膜组的组成 |
| 2.2.3 Cell模生产工艺以及环境要求 |
| 2.2.4 Cell段生产流程分析 |
| 2.3 PI(聚酰亚胺)膜下异物的控制 |
| 2.3.1 AOI检测作用及原理 |
| 2.3.2 异物不良分类 |
| 2.3.3 异物发生源头分析 |
| 2.3.4 异物改善研究 |
| 第三章 Cell膜异物监控反馈系统 |
| 3.1 常规Cell异物监控思路及弊端 |
| 3.2 新型AOI异物监控反馈系统 |
| 3.2.1 新型AOI异物监控反馈系统模型构思 |
| 3.2.2 新型异物监控系统的缺陷的类型和特征分析 |
| 3.2.3 新型异物监控系统AOI控制模块 |
| 3.2.4 PC数据传输 |
| 3.2.5 AOI身份验证系统-EAP协议 |
| 3.3 AOI与 MES系统集成 |
| 3.3.1 企业MES系统简介 |
| 3.3.2 基于AOI集成的MES架构设计 |
| 3.4 AOI数据分析:Minitab分析工具 |
| 3.5 系统E-Mail数据输出模块 |
| 第四章 Cell膜异物监控反馈系统监控结果分析及反馈 |
| 4.1 系统识别率分析 |
| 4.2 背光异物形态及大小分布 |
| 4.3 测试各膜层详细不良记录 |
| 4.4 异物监控系统输出结果 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（5）磷酸系刻蚀液对Cu/Mo薄膜刻蚀性能的基础研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 选题意义及背景 |
| 1.2 平板显示简介 |
| 1.2.1 液晶显示器简介 |
| 1.2.2 有机发光二极管显示器简介 |
| 1.3 薄膜晶体管(TFT)在显示面板中的应用 |
| 1.4 刻蚀工艺简介 |
| 1.5 湿电子化学品在薄膜晶体管(TFT)中的应用 |
| 1.5.1 湿电子化学品概述 |
| 1.5.2 湿电子化学品在薄膜晶体管(TFT)制造中的应用 |
| 1.6 铜及其刻蚀液在薄膜晶体管(TFT)制造过程中的应用 |
| 1.7 本文研究主要内容及章节安排 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验试剂与仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2金属Cu腐蚀实验 |
| 2.2.1金属Cu腐蚀溶出实验 |
| 2.2.2 金属Cu离子溶出含量测定 |
| 2.2.3金属Cu腐蚀电化学测试实验 |
| 2.2.4铜在酸溶液中的腐蚀机理研究实验 |
| 2.3金属Mo腐蚀实验 |
| 2.3.1金属Mo离子腐蚀溶出实验 |
| 2.3.2 金属Mo离子溶出含量测定 |
| 2.3.3金属Mo腐蚀电化学测试实验 |
| 2.4Cu/Mo复合金属层腐蚀实验 |
| 2.4.1 Cu/Mo复合金属腐蚀溶出实验 |
| 2.4.2 Cu、Mo金属间i-t曲线测试实验 |
| 2.4.3 Cu/Mo复合金属膜样品表征测试 |
| 第三章 金属铜在磷酸系刻蚀液中的溶出行为 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 金属Cu腐蚀实验方案及目标 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 单酸实验结果与分析 |
| 3.3.2 二元混合酸实验结果及分析 |
| 3.3.3 三元混合酸实验结果及分析 |
| 3.3.4 金属铜腐蚀电化学实验结果及分析 |
| 3.3.5 金属铜的腐蚀机理研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 金属钼在磷酸系刻蚀液中的溶出行为 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金属Mo腐蚀实验方案及目标 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 三元混合酸的实验结果及分析 |
| 4.3.2 金属钼腐蚀电化学实验结果及分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 铜/钼薄膜腐蚀研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 研究方案及目标 |
| 5.3 实验结果及讨论 |
| 5.3.1 金属铜、钼腐蚀原电池效应 |
| 5.3.2 复合金属溶出结果与分析 |
| 5.3.3 铜/钼复合金属时间-电流(i-t)曲线 |
| 5.3.4 Cu/Mo玻璃样片的刻蚀表征 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 1 作者简历 |
| 2 发明专利 |
| 学位论文数据集 |
（6）薄膜晶体管液晶显示器3道光刻技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 液晶显示器的发展应用过程 |
| 1.3 液晶显示器研究方向 |
| 1.3.1 降低成本 |
| 1.3.2 提高画质 |
| 1.3.3 宽视角 |
| 1.4 本文研究的内容及意义 |
| 第二章 TFT原理及制备流程分析 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 TFT驱动结构 |
| 2.3 TFT工作原理 |
| 2.4 TFT性能参数 |
| 2.5 薄膜晶体管工艺流程 |
| 2.5.1 成膜制程 |
| 2.5.2 光刻制程 |
| 2.5.3 蚀刻制程 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 3道光刻制备薄膜晶体管技术分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 3道光刻技术简介 |
| 3.3 传统3道光刻方法 |
| 3.3.1 ITO Lift off技术 |
| 3.3.2 Contact hole filling技术 |
| 3.3.3 3段式光罩技术 |
| 3.4 基于制绒技术的3道光刻方法 |
| 3.4.1 制绒技术3道光刻工艺流程 |
| 3.4.2 制绒技术待解决问题 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于制绒技术3道光刻工艺研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 单道制程工艺实验研究 |
| 4.2.1 干法蚀刻工艺实验 |
| 4.2.2 成膜工艺实验 |
| 4.2.3 黄光工艺实验 |
| 4.3 TFT-LCD全制程工艺实验 |
| 4.3.1 全制程实验过程 |
| 4.3.2 实验结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 制绒技术3道光刻制程工艺优化 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 制绒制程优化 |
| 5.3 Photo制程优化 |
| 5.4 Dry Etch制程优化 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论及展望 |
| 结论 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）液晶显示器用环保型水基清洗剂研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 1.1 配方设计原理 |
| 1.2 实验实施 |
| 1.2.1 实验原料及仪器 |
| 1.2.2 清洗工艺及评价方法 |
| 1.2.3 原料选择 |
| 1.3 测试表征 |
| 2 结论 |
（8）ODS清洗替代技术为清洗行业带来的机遇和挑战（论文提纲范文）
| 1 常用ODS清洗剂特点及危害 |
| 1.1 ODS清洗剂的优点 |
| 1.2 ODS清洗的缺点 |
| 1.3 ODS清洗剂的危害 |
| 2 ODS清洗应用领域 |
| 3 ODS清洗剂替代品和替代技术[1] |
| 3.1 免清洗技术及其替代品 |
| 3.2 水基清洗替代技术及其替代品 |
| 3.3 半水基清洗技术 |
| 3.4 非ODS有机溶剂清洗 |
| 3.5 其他清洗替代技术 |
| 4 市场机遇和存在的问题 |
| 5 结束语 |
（9）LCD残留液晶的清洗（论文提纲范文）
| 1 替代ODS清洗剂 |
| 1.1 水基型清洗剂 |
| 1.2 半水基型清洗剂 |
| 1.3 溶剂型清洗剂 |
| 2 清洗工艺路线 |
| 2.1 超声水洗工艺 |
| 2.2 气相超声清洗 |
| 3 结束语 |
（10）一种新型的LCD清洗剂（论文提纲范文）
| 1 LCD清洗的现状和存在的问题 |
| 1.1 LCD清洗剂的现状 |
| 1.2 清洗技术的现状 |
| 2 新型清洗剂的特点和优势 |
| 3 结论 |
四、液晶显示器的替代ODS清洗技术研究（论文参考文献）
- [1]电子封装用清洗剂的研究进展[J]. 曹华东,蒋刘杰,田谧哲,夏大权,甘贵生. 精密成形工程, 2021(01)
- [2]废液晶显示器中铟的浸出与资源化理论技术及有价值材料回收工艺研究[D]. 崔佳莹. 华南理工大学, 2020
- [3]侧入式导光板微结构加工与光学性能研究[D]. 吕强强. 青岛理工大学, 2019(02)
- [4]液晶面板行业Cell膜下异物的控制及监控方法研究[D]. 吴云飞. 内蒙古大学, 2019(05)
- [5]磷酸系刻蚀液对Cu/Mo薄膜刻蚀性能的基础研究[D]. 刘志彪. 浙江工业大学, 2020(08)
- [6]薄膜晶体管液晶显示器3道光刻技术研究[D]. 姚江波. 华南理工大学, 2019(01)
- [7]液晶显示器用环保型水基清洗剂研究[J]. 杜植院,张文,谢明. 海峡科技与产业, 2017(01)
- [8]ODS清洗替代技术为清洗行业带来的机遇和挑战[J]. 唐艳冬,李德福. 清洗世界, 2007(09)
- [9]LCD残留液晶的清洗[J]. 李广福,刘玉岭,李薇薇. 清洗世界, 2006(09)
- [10]一种新型的LCD清洗剂[J]. 李薇薇,刘玉岭,李广福. 电子工艺技术, 2005(01)