一、3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光（论文文献综述）
胡永红,雷天民,李红生,郑春蕊[1]（2004）在《化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析》文中研究说明研究了以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法制备SnS薄膜的化学反应机理,分析了络合剂和氯化铵对反应的影响。结果表明,硫代乙酰胺和氯化亚锡主要为SnS薄膜的形成提供Sn2+与S2-,三乙醇胺作为络合剂可以维持溶液中Sn2+的浓度,氯化铵的加入可使反应液PH值在反应中平稳变化,有利于高品质薄膜的形成。
雷天民,陈治明,马剑平,王建农,胡宝宏[2]（2001）在《3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光》文中研究表明采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以 CH4 +Si H4 +H2 混合气体为生长源气 ,在 Si衬底上生长 3 C-Si C晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理 ,并对退火前后的样品进行了光荧光 （ PL）分析。结果显示 ,未经退火处理的样品其 PL谱为一覆盖整个可见光区域的展宽发光谱线 ,主峰位置在 52 0 nm附近 ;经快速退火处理后样品的 PL谱在 450 nm位置附近出现了又一较强峰 ,再经慢速退火处理后此峰基本消失 ,但室温 PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给 3 C-Si C晶体薄膜造成应力损伤。
二、3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光（论文提纲范文）
（1）化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析（论文提纲范文）
| 1 实 验 |
| 2 机理分析 |
| 2.1 反应机理分析 |
| 2.2 三乙醇胺对反应的影响 |
| 2.3 加入氯化氨对反应影响分析 |
| 3 结 语 |
四、3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光（论文参考文献）
- [1]化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析[J]. 胡永红,雷天民,李红生,郑春蕊. 西安理工大学学报, 2004(04)
- [2]3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光[J]. 雷天民,陈治明,马剑平,王建农,胡宝宏. 西安理工大学学报, 2001(04)