一、利用IDDQ技术测试CMOS器件（论文文献综述）
王佳怡,房陈岩,尹达一[1]（2021）在《小型CMOS图像传感器星点成像性能分析》文中指出精细导星仪（FGS）是空间天文望远镜精密稳像系统高精度姿态信息的快速检测装置,CMOS图像传感器的成像效果直接影响精细导星仪姿态信息的解算精度。而实际工作时,CMOS成像器件存在最佳的读出范围,超出此范围的入射光强与光生电子数的线性度低,无法获取有效星点来满足后级的质心坐标解算。为解决这一问题,提出一种估算不同星等最佳积分时间的方法,并将积分时间作为探测器参数选择与调整的主要依据。测量结果表明,像元暗电流的读出码值和探测器面阵RMS噪声值均随积分时间的增加而增加。依据星点光斑分布模型给出常用星等的最佳积分时间范围,结合星点的分布情况,得出7等星在视场范围内的星数约为7颗,论证了小型CMOS器件对星斑的探测能力。
王秀宇,徐江涛,高志远,聂凯明,高静[2]（2021）在《IC工艺技术研究生教学创新实例设计研究》文中研究说明创新实践教学对集成电路（IC）专业研究生人才培养极其重要。文章根据CMOS图像传感器像素与NMOS器件在结构上的相似性,通过科教融合设计了创新实例用于IC工艺技术课的研究生教学,取得了较好的效果。该教学改革一方面激发了学生的学习兴趣、调动了他们自主学习该课的积极性,另一方面在创新实践教学中加深了学生对该课基础知识的理解,培养了他们的创新实践能力。
陈光胜,张旭,沈力为[3]（2021）在《CMOS数字集成电路的低功耗设计》文中研究说明分析表明,便携式智能终端产品的功耗问题日趋显现,尤其耗电提升所产生的热量导致芯片性能下降、甚至电路不工作,降低用户体验,而耗电占比最高的仍是数字逻辑电路芯片。为解决数字逻辑电路的低功耗设计,从系统架构、RTL级、门级等不同设计层级进行低功耗设计分析,提出系统性、全面性的低功耗设计理念,解决如何规避数字前端设计人员在设计过程中容易忽略、甚至容易出错的低功耗设计问题,以及有效的利用EDA工具协助低功耗设计、实现、验证及优化。提出低功耗设计的可测性的关键点,进行设计实例分析并得到结论。
文剑豪[4]（2021）在《应变Si/SiGe HBT BiCMOS新结构与工艺集成研究》文中提出
郝琳[5]（2021）在《高k栅介质/锑化镓MOS器件结构设计、界面失稳调控及性能优化》文中进行了进一步梳理
刘景亭[6]（2021）在《TSV电感器多物理场耦合特性研究》文中提出电感是集成电路当中应用最为广泛的无源器件之一,硅通孔（Through-Silicon Via,TSV）技术作为三维集成电路（Three-Dimensional Interagted Circuit,3D IC）的关键技术,为满足电感设计的实际需要提供了新的选择,即TSV电感器。实际制造与应用过程中,TSV电感器中的力场、温度场和电场之间的相互影响是一个非线性耦合的过程,简单地分开考虑应力、热、电的变化低估了其带来的负面影响,导致严重的可靠性问题。而且,TSV电感器的应用领域广泛、应用环境复杂。为了保证TSV电感器的可靠性,非常有必要对其多物理场耦合特性进行协同研究。本文分别针对TSV 3D螺旋电感和TSV 3D环式螺旋电感,围绕TSV电感器多物理场问题,开展的主要内容如下:1、考虑到材料热膨胀系数不匹配造成的热应力分布最终对电感电学性能产生的影响,采用ANSYS workbench仿真软件,对电感的热-力-电耦合特性进行研究,得到的电学参数与不考虑多物理场耦合情况下的电学参数进行对比,结果表明P型硅衬底情况下变化最大,TSV 3D螺旋电感电感值与品质因数的变化率分别为18.87%和8.27%,;TSV 3D环式螺旋电感电感值与品质因数的变化率分别为15.81%和6.81%。考虑进一步提高研究效率缩短仿真时间,采用二维平面电路代替三维模型仿真,采用ADS仿真软件,选择TSV 3D螺旋电感构建电感等效电路模型,在电路层面进行物理场耦合研究,结果表明与三维模型仿真结果误差在2%左右,可以替代三维模型进行研究。2、考虑实际通电过程中的电热耦合,采用COMSOLMultiphysics仿真软件,研究器件温度分布,再通过与力场耦合,完成TSV电感器电-热-力耦合特性研究,最终通过对比电学参数来表征影响结果,P型硅衬底情况下变化最大,TSV 3D螺旋电感电感值和品质因数的变化率分别为14.13%和5.91%。考虑工作温度对电感产生的影响,选择TSV 3D环式螺旋电感研究了其随工作温度变化情况下电学参数的变化情况。本文对TSV电感器的多物理场耦合模型进行深度分析,研究结果有利于设计人员预测其在3D IC中的可靠性,对于结构设计优化、降低设计成本等起着非常显着的作用。
李静鑫[7]（2021）在《极低温环境下SRAM存储单元单粒子效应研究》文中研究说明
张正良[8]（2021）在《极低温环境下晶体管和环形振荡器辐射效应研究》文中研究说明
刘迪,陆坚,梁海莲,顾晓峰[9]（2013）在《SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析》文中指出静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。
徐莲军,颜学龙[10]（2009）在《IDDQ测试理论及应用》文中研究说明阐述了IDDQ测试的概念、原理、测试方法及应用,在某些测试领域,它作为一种对传统电压测试方法的补充充分体现出了优越性。
二、利用IDDQ技术测试CMOS器件（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、利用IDDQ技术测试CMOS器件（论文提纲范文）
（1）小型CMOS图像传感器星点成像性能分析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 影响星点成像的探测器性能参数 |
| 1.1 暗电流 |
| 1.2 像素的饱和与溢出模糊 |
| 1.3 星斑有效成像范围 |
| 2 星点信号理论模型 |
| 3 测试与分析 |
| 4 结论 |
（2）IC工艺技术研究生教学创新实例设计研究（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 CMOS器件及在IC工艺技术课中的地位 |
| 2 基于科教融合CIS创新实例设计 |
| 2.1 创新实例1—PD结构CIS光敏单元设计 |
| 2.2 创新实例2—PPD结构CIS光敏单元设计 |
| 2.3 基于创新实例科学思维和批判性思维的培养 |
| 2.4 基于创新实例教学方法的改变 |
| 3 结 论 |
（3）CMOS数字集成电路的低功耗设计（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 系统与架构低功耗设计 |
| 1.1 多电源多电压设计 |
| 1.2 系统时钟分配 |
| 1.3 软/硬件协同设计 |
| 1.4 算法与IP选择 |
| 2 RTL级低功耗设计 |
| 2.1 门控时钟插入 |
| 2.2 并行与流水选择 |
| 2.3 资源共享与状态编码 |
| 2.4 操作数隔离技术 |
| 3 门级电路低功耗设计和物理实现 |
| 4 低功耗设计的可测性 |
| 4.1 电源开关网络 |
| 4.2 隔离钳位和掉电保持 |
| 5 So C芯片的设计实例 |
| 6 结语 |
（6）TSV电感器多物理场耦合特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 发展现状与趋势 |
| 1.2.1 三维集成电路技术应用 |
| 1.2.2 三维集成电路面临的挑战 |
| 1.2.3 TSV电感器 |
| 1.2.4 TSV结构的热应力 |
| 1.2.5 TSV结构的电学可靠性 |
| 1.3 研究内容 |
| 1.4 论文的主要结构 |
| 2 TSV与电感介绍 |
| 2.1 TSV结构 |
| 2.2 TSV工艺流程 |
| 2.3 电感的主要性能参数 |
| 2.3.1 电感值 |
| 2.3.2 品质因数 |
| 2.3.3 自谐振频率 |
| 2.4 仿真原理 |
| 2.4.1 麦克斯韦方程组 |
| 2.4.2 有限元法 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 TSV电感设计及热-力-电多物理场耦合研究 |
| 3.1 热-力-电耦合流程 |
| 3.2 TSV 3D螺旋电感多物理场耦合研究 |
| 3.2.1 TSV 3D螺旋电感结构 |
| 3.2.2 TSV 3D螺旋电感等效电路模型构建 |
| 3.2.3 热-力-电耦合特性研究及等效电路验证 |
| 3.3 TSV 3D环式螺旋电感多物理场耦合研究 |
| 3.3.1 TSV 3D环式螺旋电感结构 |
| 3.3.2 热-力-电耦合特性研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 TSV电感电-热-力多物理场耦合特性研究 |
| 4.1 电-热-力耦合流程 |
| 4.2 TSV 3D螺旋电感多物理场耦合研究 |
| 4.2.1 电热耦合研究 |
| 4.2.2 电致热应力研究 |
| 4.2.3 电-热-力耦合电学特性研究 |
| 4.3 工作温度对TSV 3D环式螺旋电感的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间主要研究成果 |
（9）SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 IDDQ测试原理 |
| 2 IDDQ失效分析 |
| 2.1 电学失效分析 |
| 2.2 物理失效分析 |
| 2.3 失效机理分析 |
| 3 结 论 |
（10）IDDQ测试理论及应用（论文提纲范文）
| 1. 背景介绍 |
| 2. IDDQ测试原理 |
| 3. IDDQ测试方法 |
| (一) 片外IDDQ测试 |
| (二) 片内IDDQ测试 |
| (三) 测试矢量生成 |
| 4. IDDQ技术的应用 |
| (1) .缺陷检测: |
| (2) .故障检测: |
| (3) .缺陷诊断: |
| (4) .IC设计验证和原片定性测试: |
| 5. 总结 |
四、利用IDDQ技术测试CMOS器件（论文参考文献）
- [1]小型CMOS图像传感器星点成像性能分析[J]. 王佳怡,房陈岩,尹达一. 半导体光电, 2021(05)
- [2]IC工艺技术研究生教学创新实例设计研究[J]. 王秀宇,徐江涛,高志远,聂凯明,高静. 现代信息科技, 2021(14)
- [3]CMOS数字集成电路的低功耗设计[J]. 陈光胜,张旭,沈力为. 集成电路应用, 2021(07)
- [4]应变Si/SiGe HBT BiCMOS新结构与工艺集成研究[D]. 文剑豪. 重庆邮电大学, 2021
- [5]高k栅介质/锑化镓MOS器件结构设计、界面失稳调控及性能优化[D]. 郝琳. 安徽大学, 2021
- [6]TSV电感器多物理场耦合特性研究[D]. 刘景亭. 西安理工大学, 2021(01)
- [7]极低温环境下SRAM存储单元单粒子效应研究[D]. 李静鑫. 哈尔滨工业大学, 2021
- [8]极低温环境下晶体管和环形振荡器辐射效应研究[D]. 张正良. 哈尔滨工业大学, 2021
- [9]SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析[J]. 刘迪,陆坚,梁海莲,顾晓峰. 固体电子学研究与进展, 2013(01)
- [10]IDDQ测试理论及应用[J]. 徐莲军,颜学龙. 中国科技信息, 2009(05)